2DI30Z-120(A) 是一款由三菱电机(Mitsubishi Electric)生产的双单元绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,专为高功率应用设计。该模块采用高性能的IGBT芯片技术,具有较低的导通压降和开关损耗,适用于工业变频器、电力转换系统和电机驱动等领域。模块内集成了两个IGBT单元,通常用于半桥配置,以实现高效的功率转换。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):30A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:双列直插式(Dual-In-Line)
短路耐受能力:具备短路保护功能
热阻(Rth):具体数值需参考数据手册
封装尺寸:具体尺寸需参考制造商提供的规格书
2DI30Z-120(A) 具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其额定电压为1200V,适用于中高功率应用,能够承受较高的电压应力,提高了系统的稳定性和可靠性。其次,额定集电极电流为30A,支持较大的负载电流,适合用于电机驱动和变频器等需要较高电流能力的场合。
该模块采用了先进的IGBT芯片技术,具有较低的导通压降(VCE_sat),从而减少了导通损耗,提高了整体能效。同时,其开关损耗较低,有助于降低工作时的发热,延长器件寿命。此外,该模块具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流而不损坏,提高了系统的安全性和抗故障能力。
在热管理方面,2DI30Z-120(A) 采用了高效的散热结构设计,具有较低的热阻(Rth),能够有效地将热量传导至散热器,防止过热损坏。其工作温度范围为-40°C至+150°C,适应了广泛的工业环境,确保在高温或低温条件下都能稳定运行。
模块采用双列直插式(Dual-In-Line)封装,便于安装和维护,适用于各种工业设备的电路板布局。此外,该模块内部集成了两个IGBT单元,通常用于半桥拓扑结构,简化了外部电路设计,提高了系统的集成度和可靠性。
2DI30Z-120(A) 主要应用于中高功率的电力电子变换系统,如工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器和电焊机等设备。其高电压和较高电流能力使其适合用于需要高效能、高可靠性的电机控制和能量转换场合。此外,该模块也可用于感应加热、电能质量调节和电动汽车充电设备等新兴领域。由于其良好的短路保护能力和热稳定性,特别适用于需要频繁开关和承受较大负载变化的工况。
2DI30Z-120A、2DI30Z-120AP、2DI30Z-120(B)