类型：PNP型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2SB1496T114/DF 是一款性能优良的PNP型高频晶体管，具有较高的频率响应能力，适用于模拟和数字电路中的放大与开关应用。该晶体管在设计上优化了高频性能，使其在射频（RF）和中频（IF）信号放大中表现出色。此外，其较高的电流增益（hFE）范围（110-800）使得该器件能够适应多种偏置和放大需求，提高了电路设计的灵活性。
　　该晶体管采用了紧凑的封装形式（T114），具备良好的热稳定性和机械强度，适合在空间受限的应用中使用。表面贴装（DF封装）设计进一步提升了其在PCB上的安装效率和可靠性，适用于现代自动化生产和回流焊工艺。
　　此外，2SB1496T114/DF 的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极耐压为30V，使其在中低功率的放大和开关电路中表现稳定。其最大功耗为200mW，在合理设计的散热条件下可满足大多数应用场景的需求。该晶体管的工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的环境。

2SB1496T114/DF 主要用于高频放大器、前置放大器、信号开关电路、音频放大器、电压调节器、逻辑电平转换电路等。由于其优异的高频响应特性，该晶体管在通信设备、音频处理系统、消费电子产品和汽车电子中都有广泛应用。例如，在射频前端电路中用于信号放大，在数字电路中作为高速开关元件，在便携式设备中用于音频信号处理等。

2SB1496T114/DF 的替代型号包括 2SB1496T114、2SB1496T、2SB1496-O、2SB1496-Y、2SB1496-G