类型：齐纳二极管
　　封装：SOT-23
　　最大耗散功率：300 mW
　　标称齐纳电压：2.4 V
　　最大齐纳电压：2.52 V
　　最小齐纳电压：2.28 V
　　测试电流：20 mA
　　最大漏电流（VR）：100 nA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：90 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MMBZ5221BLT3 齐纳二极管具有多项优异特性，包括精确的电压调节能力、低温度系数和良好的稳定性。其标称齐纳电压为2.4V，电压公差控制在±5%以内，适用于对电压精度要求较高的模拟和数字电路中。该器件的动态阻抗较低，确保在不同负载条件下电压保持稳定。此外，其低漏电流特性（在反向截止状态下的电流）使其适用于低功耗和高精度电路中。MMBZ5221BLT3 采用SOT-23小型封装，节省空间，便于自动化生产和高密度布局。其工作温度范围宽，可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业和汽车电子应用。
　　该齐纳二极管的击穿特性曲线较为陡峭，意味着在击穿区域内的电压变化较小，从而提供了良好的稳压性能。其最大耗散功率为300mW，能够承受一定的功耗而不影响其稳压性能。此外，该器件的响应速度快，能够迅速稳定电压波动，适用于电源管理、参考电压源、信号调节电路以及过压保护电路等多种应用场景。

MMBZ5221BLT3 主要用于以下应用场景：作为参考电压源，在运算放大器、电压比较器和ADC/DAC电路中提供稳定的基准电压；在电源电路中用于电压调节和稳压功能；在电池供电设备中确保电压稳定，延长电池寿命；在工业控制系统中用于信号调节和电压参考；在汽车电子中用于稳压和保护敏感电子元件；也可用于通信设备、消费电子产品以及传感器接口电路中。

MMBZ5221B, MMSZ5221B, 1N4728A