类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

HUF76003T3ST具有多项优异的电气和热性能，能够满足高性能功率转换系统的需求。其主要特点之一是极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的沟槽MOSFET技术确保了在高电流下的稳定工作，同时减少了开关损耗。
　　此外，HUF76003T3ST采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该封装还提供了优异的机械稳定性，适合自动化装配流程。
　　该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在高电压瞬态条件下的可靠性。其栅极氧化层设计能够承受高电压应力，从而提高器件在高频开关应用中的稳定性。
　　此外，HUF76003T3ST的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。其高耐热性能也使其在高温环境下仍能保持良好的导通性能和稳定性。
　　综合来看，HUF76003T3ST是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用，具备优异的电气性能和散热设计。

HUF76003T3ST适用于多种高功率、高效率的电子系统。它常用于DC-DC转换器和同步整流电路，以实现高效的电压转换。在电机控制和电源管理系统中，该器件能够作为高侧或低侧开关使用，提供低损耗的导通路径。
　　此外，HUF76003T3ST也适用于电池管理系统（BMS）、负载开关和热插拔电路，能够在高电流条件下稳定工作。由于其优异的热性能，该MOSFET也广泛用于工业自动化、服务器电源、电信设备和电动汽车相关应用。
　　在电源管理方面，该器件可用于负载切换、电源分配和热管理，确保系统在高负载下的稳定运行。由于其低导通电阻和高电流承载能力，HUF76003T3ST特别适合需要高效率和低损耗的功率转换应用。

Si7410DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1010E, IPB017N06N G, FDBL0150N06A0