STB4NB80FP 时间：2025/7/23 3:07:32 阅读：5

STB4NB80FP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高功率 N 沟道 MOSFET，专为高压、高电流应用而设计。该器件具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换、电机驱动、工业自动化和电源管理系统等领域。STB4NB80FP 采用 TO-220FP 封装，具备良好的散热性能，适合在高温环境下工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：4 A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.5 Ω
　　功率耗散（PD）：60 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STB4NB80FP 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到 800V，使其适用于高电压输入的电源系统。该器件的导通电阻较低，最大为 2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其栅源电压范围为 ±30V，具备较强的栅极保护能力，防止因过电压导致的损坏。
　　TO-220FP 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在高功率运行条件下仍能保持稳定性能。STB4NB80FP 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和开关电源（SMPS）。此外，其低漏电流和高稳定性使其适用于对功耗敏感的应用。
　　该 MOSFET 内部集成的保护机制包括过温保护和雪崩能量耐受能力，提升了器件在严苛环境下的可靠性。此外，其封装设计支持简便的安装与散热器连接，适合工业级应用需求。

应用

STB4NB80FP 主要应用于高压电源系统，如开关电源（SMPS）、电池充电器、DC-DC 转换器和 UPS（不间断电源）。此外，该器件也常用于工业电机驱动、照明系统、电焊设备以及高压负载开关电路。
　　在电机控制方面，STB4NB80FP 可用于驱动中小型电机，实现高效能的功率控制。在 LED 照明系统中，它可作为功率开关用于恒流驱动电路。由于其高可靠性和良好的热管理能力，该器件也广泛用于家电中的电源控制模块，如微波炉、洗衣机和空调。
　　另外，STB4NB80FP 也适用于光伏逆变器和储能系统中的功率转换模块，能够有效提升系统的能量转换效率。