时间：2025/5/10 8:58:45
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SI9435DY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型 TO-263-3 (DPAK) 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。
该型号特别适合于需要高效能和低损耗的设计场景，例如 DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3 (DPAK)
SI9435DY-T1 具有非常低的导通电阻，这使得它在功率传输过程中能够减少能量损耗，提高整体效率。
此外，该器件的高开关速度有助于降低开关损耗，并允许更高的工作频率，从而减小外部元件尺寸。
其坚固的封装设计和宽泛的工作温度范围确保了在恶劣环境下的可靠运行。
同时，该产品符合 RoHS 标准，支持环保要求。
SI9435DY-T1 广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域。
主要应用包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 的同步整流；
2. DC/DC 转换器中的功率级开关；
3. 电池管理系统的负载开关；
4. 各种电机驱动和控制电路；
5. 照明系统中的 LED 驱动器。
SI9438DY, SI9440DY
