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CBW322513U300T 发布时间 时间:2025/4/28 20:33:59 查看 阅读:33

CBW322513U300T是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频率、高效率的应用场景设计。该芯片采用先进的封装工艺和增强型GaN FET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提升系统性能。CBW322513U300T广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、充电器、太阳能逆变器等领域,满足现代电子设备对小型化、高性能的需求。
  该芯片内置保护功能,包括过流保护、短路保护以及过温保护等,确保在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。

参数

额定电压:650V
  导通电阻:30mΩ
  最大电流:40A
  栅极电荷:80nC
  反向恢复时间:<10ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

CBW322513U300T的主要特性如下:
  1. 基于GaN技术,具备超低导通电阻和快速开关速度,显著提高能效。
  2. 支持高达10MHz的工作频率,适用于高频应用场合。
  3. 内置多种保护功能,如过流保护、短路保护和过温保护,确保运行安全。
  4. 封装形式紧凑,占用空间小,适合高密度设计需求。
  5. 耐热性能优越,能够在极端温度环境下正常工作。
  6. 低寄生电感设计,减少开关过程中的振荡和电磁干扰(EMI)。
  7. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

CBW322513U300T适用于以下领域:
  1. 高效DC-DC转换器。
  2. 快速充电器及适配器。
  3. 太阳能微逆变器与储能系统。
  4. 工业电机驱动及控制。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 电动汽车车载充电器(OBC)和DC-DC变换器。
  7. 数据中心服务器电源及其他高性能电源管理系统。

替代型号

CBW322513U200T, CBW322513U400T

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