CBW322513U300T是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频率、高效率的应用场景设计。该芯片采用先进的封装工艺和增强型GaN FET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提升系统性能。CBW322513U300T广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、充电器、太阳能逆变器等领域,满足现代电子设备对小型化、高性能的需求。
该芯片内置保护功能,包括过流保护、短路保护以及过温保护等,确保在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
额定电压:650V
导通电阻:30mΩ
最大电流:40A
栅极电荷:80nC
反向恢复时间:<10ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
CBW322513U300T的主要特性如下:
1. 基于GaN技术,具备超低导通电阻和快速开关速度,显著提高能效。
2. 支持高达10MHz的工作频率,适用于高频应用场合。
3. 内置多种保护功能,如过流保护、短路保护和过温保护,确保运行安全。
4. 封装形式紧凑,占用空间小,适合高密度设计需求。
5. 耐热性能优越,能够在极端温度环境下正常工作。
6. 低寄生电感设计,减少开关过程中的振荡和电磁干扰(EMI)。
7. 符合RoHS标准,环保且可靠。
CBW322513U300T适用于以下领域:
1. 高效DC-DC转换器。
2. 快速充电器及适配器。
3. 太阳能微逆变器与储能系统。
4. 工业电机驱动及控制。
5. LED照明驱动电路。
6. 电动汽车车载充电器(OBC)和DC-DC变换器。
7. 数据中心服务器电源及其他高性能电源管理系统。
CBW322513U200T, CBW322513U400T