时间：2025/6/30 22:17:13
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GBLC15-LF-T7 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高性能功率晶体管，适用于高频、高效率的电源转换和射频应用。该器件采用先进的封装技术，能够有效降低寄生电感并提高散热性能。其主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及射频功率放大器等场景。
型号：GBLC15-LF-T7
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：15 A
导通电阻：40 mΩ
栅极阈值电压：2.5 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：LF 封装
GBLC15-LF-T7 具备低导通电阻和快速开关能力，能够在高频条件下实现高效的功率转换。
由于采用了氮化镓材料，该器件具有更高的电子迁移率和击穿场强，使得其在相同尺寸下具备更优异的性能。
其 LF 封装设计减少了寄生电感的影响，进一步提升了高频性能。
此外，该晶体管支持零电压开关（ZVS）拓扑结构，从而减少开关损耗并提高系统效率。
GBLC15-LF-T7 广泛应用于需要高效功率转换和高频操作的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 射频功率放大器
4. 电动汽车充电设备
5. 工业电源
6. 可再生能源逆变器
该器件的高频特性和低损耗使其成为这些应用的理想选择。
GBLC15-HD-T7
GBLC12-LF-T7
GAN041-650DS
IRG4PC20UD
