时间：2025/7/22 5:19:52
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STB45N65M5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关等电力电子系统中。该器件采用先进的技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优秀的热性能，能够在高频率下高效工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：45A
最大漏极-源极电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值，取决于VGS）
栅极-源极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247、TO-263（D2PAK）等
STB45N65M5 MOSFET采用意法半导体的MDmesh M5技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体效率。其低RDS(on)特性使得在高电流应用中发热更低，从而提高了系统的可靠性和寿命。此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频率开关电路，降低了开关损耗并提高了电源转换效率。其高雪崩能量耐受能力确保在突发过压或感性负载切换时仍能保持稳定运行。
STB45N65M5还具有良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。封装设计支持高效的散热管理，便于集成到紧凑型电路设计中。
STB45N65M5适用于多种高功率应用，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动工具和电动汽车充电系统。其高效能和高可靠性的特点使其成为现代电力电子设计中的理想选择。
STF45N65M5, IPW65R045CFD7, STD45N65M5
