时间：2025/4/28 19:10:58
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NGTD14T65F2WP 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率应用设计。该器件采用了先进的工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提升了系统的整体效率。其封装形式为 DPAK（TO-252），适用于表面贴装技术（SMT）。这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：0.3Ω
栅极电荷：35nC
总热阻（结到壳）：47°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NGTD14T65F2WP 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：650V 的漏源电压使其适合高压环境中的应用。
2. 低导通电阻：仅为 0.3Ω，减少了传导损耗并提高了效率。
3. 快速开关性能：得益于优化的栅极电荷设计，开关速度较快，能够降低开关损耗。
4. 高温适应性：工作温度范围可达 -55°C 至 +175°C，适用于恶劣环境。
5. 封装紧凑：采用 DPAK 封装，节省 PCB 空间且支持高效的散热管理。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能量转换。
2. DC-DC 转换器：提供稳定的电压输出。
3. 电机驱动：用于控制电机的速度和方向。
4. 工业设备：如变频器、逆变器等需要高可靠性和效率的应用。
5. 汽车电子：在车载系统中作为关键的功率开关元件。
NTD14T65Z, IRFZ44N, FDP14N65S
