STB190NF04 时间：2025/6/12 14:35:06 阅读：11

STB190NF04是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种高效能电源管理应用。它主要设计用于消费类电子设备、工业设备及汽车领域中的DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。
　　STB190NF04的最大额定电压为40V，能够提供出色的电流处理能力，同时其优化的封装形式有助于提高系统的整体效率和可靠性。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：190A
　　导通电阻：2.6mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：TO-247

特性

STB190NF04具备以下几个显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下仅为2.6毫欧，这大大减少了功率损耗并提高了系统效率。
　　2. 高电流承载能力，可支持高达190安培的连续漏极电流，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能，具有较小的栅极电荷，能够实现高频操作，从而减小了外部元件尺寸。
　　4. 强大的热性能，通过优化的封装设计有效降低了热阻，提升了散热效果。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅，满足现代电子产品对环境的要求。

应用

STB190NF04广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级转换，例如AC-DC适配器和充电器。
　　2. 电动车辆及混合动力车辆中的电机控制器。
　　3. 工业自动化设备中的负载开关与保护电路。
　　4. 大功率LED驱动器中的电流调节功能。
　　5. 各种需要高效功率转换和开关控制的场合，如不间断电源（UPS）系统和通信电源。