AL02BT1N8M 时间：2025/12/26 0:37:54 阅读：29

AL02BT1N8M是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高频、高效率的电源整流和开关应用而设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于多种电源管理场景。其型号中的‘AL’通常代表产品系列，‘02B’可能指示电压等级或电流能力，‘T1’表示封装类型为SOD-123，而‘N8M’则与特定的电气参数或批次相关。这款二极管广泛用于消费类电子产品、便携式设备、电源适配器以及DC-DC转换器中，能够有效降低功耗并提升系统整体效率。由于其小型化封装和优良的热性能，AL02BT1N8M特别适合空间受限且对散热有一定要求的应用环境。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品的绿色制造需求。

参数

型号：AL02BT1N8M
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装/外壳：SOD-123
　　极性：单路（Single）
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：5A
　　最大正向电压降（VF）@ 200mA：450mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 20V：10μA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns

特性

AL02BT1N8M具备优异的电学性能和可靠性，其核心优势在于低正向导通压降与快速开关响应能力。在200mA的工作电流下，其最大正向电压仅为450mV，显著低于传统PN结二极管，这不仅减少了导通状态下的功率损耗，还提升了电源系统的整体能效。这一特性使其在电池供电设备中尤为重要，有助于延长续航时间。同时，该器件的反向恢复时间极短，典型值小于5纳秒，能够在高频开关电路中有效抑制反向恢复电荷带来的尖峰和振荡，从而减少电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　该二极管采用SOD-123表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于紧凑型PCB布局。其热阻特性良好，在正常工作条件下可有效散发热量，确保长时间运行的可靠性。器件的最大重复反向电压为20V，适合低压直流电源系统中的整流、防反接和续流保护等用途。此外，其最大反向漏电流仅为10μA，在高温环境下仍能保持较低的漏电水平，增强了在恶劣工况下的适应能力。
　　AL02BT1N8M通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，具备较高的环境耐受性，可用于汽车电子中的辅助电源模块或传感器供电回路。其材料符合IEC 61249-2-21标准的无卤素要求，并采用无铅焊接工艺，支持环保生产和回收处理。整体来看，该器件在性能、尺寸与合规性方面实现了良好平衡，是现代高效电源设计中理想的通用型肖特基二极管选择。

应用

AL02BT1N8M常用于各类低电压、小电流的电源整流与保护电路中。典型应用场景包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携式消费电子产品的充电管理模块，作为输入端的防反接保护或DC-DC变换器中的续流二极管使用。在AC-DC适配器和USB供电设备中，它可用于次级侧整流，利用其低正向压降特性减少发热，提升转换效率。
　　该器件也广泛应用于工业控制板、智能家居控制器和物联网终端设备的电源部分，尤其适用于3.3V、5V或12V系统轨的隔离与钳位功能。在同步整流不适用的小功率开关电源中，AL02BT1N8M可作为主整流元件替代普通快恢复二极管，改善动态响应并降低温升。
　　此外，由于其快速响应特性，该二极管还可用于信号解调、高频检波及ESD保护辅助电路中。在汽车电子领域，如车载摄像头、倒车雷达模块和车身控制单元（BCM）中，AL02BT1N8M可用于电源路径管理，提供可靠的反向电压防护和瞬态抑制功能。其小型封装也使其成为高密度贴片组装的理想选择，适用于回流焊工艺的大规模生产流程。