时间：2025/6/11 21:12:46
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STB170NF04 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET。这款器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。其封装形式为 TO-220，能够满足高功率应用场景的需求。
该器件的工作电压高达 400V，具备快速开关性能和低栅极电荷，从而有效降低开关损耗。同时，它还具有出色的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的电气环境下可靠运行。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：17A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总电容：1200pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
STB170NF04 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：其漏源电压额定值为 400V，非常适合高压工业和汽车应用。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 0.18Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷（35nC）使其能够实现高效的开关操作，减少能量损失。
4. 热稳定性强：支持高达 +150℃ 的工作结温，确保在高温环境下的可靠性。
5. 强大的过载能力：可以承受短时间内的高电流冲击，增强了整体系统的鲁棒性。
6. 封装坚固：采用标准 TO-220 封装，便于安装与散热设计。
STB170NF04 广泛应用于多种高功率电子系统中，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 逆变器
3. 电机驱动
4. DC-DC 转换器
5. UPS 不间断电源
6. 各类工业控制设备
由于其高压和大电流处理能力，这款 MOSFET 在需要高效功率转换和严格温度管理的场合特别受欢迎。
STB170N4F5, IRF840, FQP17N25
