LHMD79NP 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作,提供较低的导通电阻,以减少功率损耗并提高整体系统效率。LHMD79NP 采用先进的制造工艺,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID):7.9A
最大漏源电压 (VDS):600V
导通电阻 (RDS(on)):典型值 1.15Ω
栅极电荷 (Qg):典型值 35nC
封装类型:TO-220
LHMD79NP MOSFET 具有多个关键特性,使其在功率转换应用中表现优异。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于高电压环境,例如开关电源和电机控制电路。其次,较低的导通电阻(RDS(on) 为 1.15Ω)可以显著减少导通损耗,提高能效。此外,该器件的栅极电荷较低(35nC),有助于减少开关损耗,提高开关速度,从而提升整体系统性能。
在热性能方面,LHMD79NP 采用 TO-220 封装,具备良好的散热能力,能够在较高温度环境下稳定工作。该封装形式也便于安装在散热片上,以进一步优化热管理。此外,MOSFET 的结构设计确保了良好的雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
该器件还具备较强的抗短路能力,在突发的过载或短路情况下能够维持稳定运行,避免因瞬态故障导致的损坏。此外,LHMD79NP 的驱动要求较低,兼容标准逻辑电平,使其能够与多种控制器和驱动电路配合使用,适用于广泛的应用场景。
LHMD79NP MOSFET 主要应用于高电压、中等功率的电子系统中。常见用途包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高耐压和较低的导通损耗特性,该器件也适用于节能型家电、UPS(不间断电源)系统以及电池管理系统中的功率控制模块。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和电动车充电系统中,LHMD79NP 可作为关键的功率开关元件,提供高效的能量转换和稳定的运行性能。
STP8NM60ND, FQA7N60C, IRFBC40