LHMD79NP 时间：2025/8/27 18:21:07 阅读：19

LHMD79NP 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作，提供较低的导通电阻，以减少功率损耗并提高整体系统效率。LHMD79NP 采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：7.9A
　　最大漏源电压 (VDS)：600V
　　导通电阻 (RDS(on))：典型值 1.15Ω
　　栅极电荷 (Qg)：典型值 35nC
　　封装类型：TO-220

特性

LHMD79NP MOSFET 具有多个关键特性，使其在功率转换应用中表现优异。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高电压环境，例如开关电源和电机控制电路。其次，较低的导通电阻（RDS(on) 为 1.15Ω）可以显著减少导通损耗，提高能效。此外，该器件的栅极电荷较低（35nC），有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提升整体系统性能。
　　在热性能方面，LHMD79NP 采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力，能够在较高温度环境下稳定工作。该封装形式也便于安装在散热片上，以进一步优化热管理。此外，MOSFET 的结构设计确保了良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
　　该器件还具备较强的抗短路能力，在突发的过载或短路情况下能够维持稳定运行，避免因瞬态故障导致的损坏。此外，LHMD79NP 的驱动要求较低，兼容标准逻辑电平，使其能够与多种控制器和驱动电路配合使用，适用于广泛的应用场景。

应用

LHMD79NP MOSFET 主要应用于高电压、中等功率的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高耐压和较低的导通损耗特性，该器件也适用于节能型家电、UPS（不间断电源）系统以及电池管理系统中的功率控制模块。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，LHMD79NP 可作为关键的功率开关元件，提供高效的能量转换和稳定的运行性能。