晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益（hFE）：在2mA，300MHz时典型值为80
　　频率范围：高达1GHz
　　过渡频率（fT）：1GHz

LBC807 40WT1G是一款高频NPN晶体管，具备高过渡频率（fT）和高增益特性，使其非常适合用于射频和模拟信号处理。其过渡频率高达1GHz，确保在高频应用中仍能保持良好的增益性能。该晶体管的增益（hFE）在2mA工作电流下为80，具有良好的线性度，适合用于低噪声放大器和射频功率放大器。
　　此外，LBC807 40WT1G采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和电气性能。其最大集电极-发射极电压为40V，集电极电流为100mA，适用于中低功率的高频电路设计。
　　该晶体管还具备较低的噪声系数，使其在射频接收前端电路中表现出色，如低噪声放大器（LNA）。同时，由于其高频率响应和良好的匹配性能，LBC807 40WT1G也常用于振荡器、混频器和射频驱动电路。

LBC807 40WT1G主要应用于射频和高频电路设计中，常见于无线通信设备、射频放大器、低噪声放大器（LNA）、功率放大器、混频器、振荡器、调制解调器以及模拟信号处理电路。该晶体管的高频性能使其成为射频发射和接收模块中的关键元件，尤其适用于需要高增益和低噪声的应用场景。
　　在消费类电子产品中，LBC807 40WT1G可用于无线耳机、蓝牙模块、Wi-Fi路由器和智能家居设备的射频前端电路。在工业和通信设备中，该晶体管可应用于基站、射频识别（RFID）系统、测试仪器和射频信号发生器等设备。

LBC807 40WZ1G, LBC807 40WX1G, BFQ59, BFQ67