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STB15NK50ZT4 发布时间 时间:2025/7/22 22:33:08 查看 阅读:5

STB15NK50ZT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET采用了先进的技术,具有低导通电阻和高效能的特性,广泛用于电源管理、马达控制和工业自动化等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流:15A
  最大漏极-源极电压:500V
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω
  最大功耗:125W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220
  栅极电荷(Qg):34nC
  输入电容(Ciss):900pF

特性

STB15NK50ZT4具有多种显著的特性,使其在高性能应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下最小的功率损耗,从而提高了整体能效。其次,这款MOSFET的最大漏极-源极电压达到500V,能够在高电压环境下稳定运行,适用于各种工业和电源应用。
  该器件的封装形式为TO-220,便于安装和散热,确保在高负载条件下的长期可靠性。此外,STB15NK50ZT4的栅极电荷(Qg)为34nC,较低的栅极电荷使得开关速度更快,进一步减少了开关损耗,提高了系统效率。
  在热管理方面,STB15NK50ZT4具备出色的散热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。其工作温度范围从-55°C到150°C,适应了各种恶劣的工作环境,确保了设备的可靠性和稳定性。
  此外,STB15NK50ZT4还具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能,能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。这些特性使得该MOSFET在电源管理、马达控制以及工业自动化等领域得到了广泛应用。

应用

STB15NK50ZT4广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理、马达控制、工业自动化和消费电子产品。在电源管理中,该器件可用于高效的电源转换和稳压电路;在马达控制中,它能够提供可靠的高电流驱动能力;在工业自动化中,STB15NK50ZT4可用于各种高电压和高电流的控制电路。此外,由于其优异的性能和可靠性,该MOSFET也常用于消费电子产品中的电源管理模块。

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STB15NK50ZT4参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C340 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs106nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2260pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)