ST890BD 时间：2025/7/23 3:00:13 阅读：9

ST890BD是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理及各类工业和消费类电子设备。ST890BD采用了先进的沟槽式栅极技术和优化的封装设计，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的开关性能，从而减少能量损耗并提高系统效率。该MOSFET具有较高的电流承载能力和热稳定性，适合在中高功率条件下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值1.2Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

ST890BD的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流工作条件下，MOSFET的导通损耗显著降低，从而提高了整体能效。此外，该器件具有优异的热性能，能够在较高温度下稳定运行，适合在恶劣环境条件下使用。
　　另一个显著特点是其高耐压能力，漏源电压最大可达600V，这使其适用于高压电源系统，例如开关电源（SMPS）和变频器。栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的10V或更高的驱动电压，以确保完全导通并减少开关损耗。
　　ST890BD还具备良好的短路和过载保护能力，增强了器件在实际应用中的可靠性。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。此外，该MOSFET的开关速度快，适合高频开关应用，有助于减小外围电路的体积并提高系统响应速度。

应用

ST890BD广泛应用于各种需要高压、中等电流控制的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业自动化和控制设备。
　　在电源管理领域，该MOSFET可用于构建高效能的AC-DC转换器，特别是在需要高功率因数校正（PFC）和高效能转换的场合。在电机控制方面，ST890BD可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及各类嵌入式控制系统中，作为主开关或负载切换元件。由于其具备良好的热稳定性和抗过载能力，ST890BD也适用于需要长期稳定运行的工业设备和家用电器。