ULC05DT3 时间：2025/12/28 0:24:17 阅读：18

ULC05DT3是一款由ROHM Semiconductor生产的超小型表面贴装N沟道MOSFET，采用CST3（SOT-723）封装，专为高密度、低功耗便携式电子设备中的开关应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和极小的封装尺寸，适合在空间受限的应用中替代传统较大的MOSFET。ULC05DT3广泛用于电池供电设备、移动通信设备、可穿戴电子产品以及各种需要高效能功率开关的场合。其结构基于先进的沟槽型MOS工艺，确保了优异的电气性能和热稳定性。由于其SOT-723封装仅有约1mm x 1mm的占位面积，极大节省了PCB空间，同时支持自动化贴片生产，适用于大规模智能制造流程。该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。ULC05DT3特别适用于负载开关、LED驱动、电源管理单元中的逻辑控制开关以及信号路由等低压直流应用场景。

参数

型号：ULC05DT3
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：CST3 (SOT-723)
　　连续漏极电流（Id）：500mA（最大）
　　漏源击穿电压（V(BR)DSS）：20V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：0.4V 至 1.0V
　　导通电阻（Rds(on)）：350mΩ（@ Vgs=1.8V），300mΩ（@ Vgs=2.5V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值1.3nC
　　输入电容（Ciss）：约75pF
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　峰值脉冲电流（Idm）：1.5A（短时）
　　热阻（Rth(j-a)）：约400°C/W（标准FR4板）

特性

ULC05DT3的核心优势在于其卓越的微型化设计与高效的开关性能结合。该MOSFET采用ROHM先进的沟槽栅极技术，实现了在极小封装下仍具备较低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统整体效率。其300mΩ的Rds(on)在2.5V栅压下表现优异，尤其适用于1.8V至3.3V的低压逻辑控制系统，能够有效支持现代低电压数字电路的直接驱动需求。器件的栅极阈值电压低至0.4V起，意味着即使在低驱动电压条件下也能实现快速开启，提升了在电池供电系统中的响应能力。
　　ULC05DT3的SOT-723封装不仅尺寸紧凑（1.0mm × 1.0mm × 0.55mm），而且引脚间距达0.65mm，兼容标准SMT贴片工艺，便于自动化生产和回流焊接。这种封装还优化了热传导路径，尽管热阻较高，但在轻载应用中仍能保持良好的热稳定性。此外，该器件具有出色的开关特性，输入电容低至75pF，栅极电荷仅为1.3nC，使其在高频开关操作中功耗极低，适用于PWM调光、DC-DC转换器同步整流或负载切换等需要快速响应的场景。
　　在可靠性方面，ULC05DT3经过严格的质量控制和长期耐久性测试，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。其静电放电（ESD）防护能力也达到HBM 2kV以上，增强了在实际装配和使用过程中的抗干扰能力。由于其无铅、无卤、符合RoHS指令的设计，ULC05DT3完全满足消费类电子产品对环保法规的要求，是绿色电子设计的理想选择。

应用

ULC05DT3主要应用于对空间和功耗要求极为严格的便携式电子设备中。典型应用包括智能手机和平板电脑中的背光LED驱动开关，用于实现屏幕亮度调节；也可作为电源管理模块中的负载开关，控制不同功能模块的供电通断，以降低待机功耗。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，该器件用于电池与传感器之间的电源隔离，延长续航时间。
　　此外，ULC05DT3适用于各类小型化的DC-DC转换电路，作为同步整流开关或续流二极管替代方案，提升转换效率。在物联网终端节点、无线传感器网络和蓝牙低功耗模块中，它常被用作射频开关或逻辑电平转换的控制元件。由于其快速响应特性和低静态电流消耗，也适合用于微控制器GPIO扩展的驱动接口，实现对外部外设的高效控制。其他应用还包括微型电机驱动、音频线路切换、SIM卡/存储卡电源切换以及各种需要小型化功率开关的嵌入式系统设计。