时间：2025/12/23 10:05:57
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ST4V5FHN203是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这款器件专为高效率、高性能的开关应用设计，广泛应用于电机驱动、电源适配器、DC-DC转换器等领域。
该芯片具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。同时，其坚固的设计和出色的散热性能使得它能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：27A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：10nC
总电容：295pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
ST4V5FHN203采用了先进的MDmesh?技术，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用场景。
3. 强大的抗雪崩能力，确保在异常条件下的可靠性。
4. 内置防静电保护功能，增强器件的安全性。
5. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保证正常工作。
6. 小巧的TO-220封装设计，便于安装且散热效果优异。
ST4V5FHN203适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级控制。
2. 各种工业设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. LED照明驱动器。
5. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
6. DC-DC转换器及电池管理系统。
STP45NF06L, IRFZ44N, FDP5500
