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BC850CW,135 发布时间 时间:2025/9/14 4:42:43 查看 阅读:11

BC850CW,135是一款NPN型高频晶体管,常用于射频和低噪声放大应用。该晶体管采用SOT-343封装,适合高频信号处理和小型电子设备的设计。BC850CW系列晶体管具有良好的高频性能和稳定性,使其成为无线通信系统中的理想选择。

参数

类型:NPN晶体管
  封装:SOT-343
  最大集电极电流:100 mA
  最大集电极-发射极电压:30 V
  最大集电极-基极电压:30 V
  最大工作频率:250 MHz
  增益带宽积:100 MHz
  噪声系数:3 dB(典型值)
  功耗:300 mW

特性

BC850CW,135晶体管具有优异的高频性能,适用于射频放大和低噪声应用。其低噪声系数使其在信号接收和处理中表现出色,同时具备较高的线性度和稳定性,适用于各种模拟电路设计。该器件的SOT-343封装设计紧凑,便于在小型电路板上使用,且具备良好的散热性能。此外,BC850CW,135还具有较高的增益带宽积,能够在较宽的频率范围内提供稳定的放大性能。
  在制造工艺方面,BC850CW,135采用了先进的硅双极技术,确保了器件在高频工作时的可靠性和一致性。其较低的寄生电容和高β值(电流增益)使其在射频前端电路中表现出色,特别是在低噪声放大器和混频器应用中。此外,该晶体管的低功耗特性也有助于延长电池供电设备的使用寿命。

应用

BC850CW,135广泛应用于射频接收器、无线通信设备、低噪声放大器、混频器以及各种高频信号处理电路。它在小型化电子设备中的使用非常普遍,如便携式无线电设备、无线传感器和音频放大器等。

替代型号

BC847, BC850, BC851

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BC850CW,135参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)420 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934022080135BC850CW /T3BC850CW /T3-ND