类型：IGBT模块
　　晶体管数量：2个IGBT + 2个FRD（快速恢复二极管）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：56A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SKDIP（Semikron Dual Inline Package）
　　导通压降（VCE_sat）：典型值约2.1V（在IC=56A时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值约150ns
　　短路耐受能力：有
　　绝缘等级：符合UL认证

SKT56/12D 模块的核心特性之一是其高性能的IGBT技术，能够在高电压和高电流条件下保持稳定运行。该模块的IGBT具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，其集成的快速恢复二极管（FRD）具备较短的反向恢复时间，有助于减少开关损耗，并提升模块在高频应用中的性能。
　　在热管理方面，SKT56/12D 设计有良好的散热结构，能够有效传导和分散运行过程中产生的热量，从而确保模块在高温环境下依然稳定工作。模块的封装材料具有良好的绝缘性和耐热性，能够承受较大的温度波动。
　　模块的结构设计也考虑了机械强度和安装便利性。其采用的SKDIP封装方式便于安装在散热器上，并且模块的引脚布局合理，便于接线和维护。此外，该模块还具备较强的短路耐受能力，能够在突发短路情况下提供一定程度的保护，从而提升系统的可靠性。
　　在电气性能方面，SKT56/12D 的最大集电极-发射极电压为1200V，额定集电极电流为56A，适用于中高功率应用。其工作温度范围广泛，从-40°C到+150°C，使其能够适应多种环境条件。

SKT56/12D 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。例如，它广泛应用于工业电机驱动器、变频器、UPS系统、太阳能逆变器以及电焊机等设备中。在这些应用中，SKT56/12D 能够实现高效的能量转换和稳定的运行性能，满足复杂工况下的需求。此外，该模块也适用于电动汽车充电设备、储能系统以及智能电网设备等新兴应用领域。

SKT56/12E, SKM56/12D