时间：2025/5/7 14:05:54
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ST4G3234BJR是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻，适用于多种开关和功率转换应用。这款MOSFET广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率控制的应用场景。
ST4G3234BJR的设计重点在于提升效率和可靠性，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统整体效能。此外，它具备良好的热性能和电气特性，使其能够适应严苛的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1890pF
功耗：180W
工作温度范围：-55°C to 175°C
1. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. TO-220封装提供优秀的散热性能。
4. 良好的电气特性和热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 快速开关速度，减少开关损耗并提升效率。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电路中。
ST4G3234BJR主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 各种工业设备中的负载切换。
4. 大功率LED驱动器和电池充电管理系统。
5. 逆变器和其他需要高效率功率转换的场合。
STP45NF06L, IRFZ44N
