时间:2025/12/26 20:20:53
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ST330S12P1PBF是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的表面贴装肖特基势垒整流二极管,采用高效能的平面技术制造,专为高频率开关电源、DC-DC转换器以及逆变电路等应用设计。该器件封装在PowerFLAT 2x2封装中,具有非常低的导通压降和快速的反向恢复时间,能够显著提升电源系统的整体效率并减少热损耗。ST330S12P1PBF的最大重复峰值反向电压为30V,平均整流电流可达1.5A,适用于便携式电子设备、笔记本电脑、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。该二极管符合RoHS环保标准,并具备无卤素(halogen-free)特性,适合现代绿色电子产品的生产要求。由于其小型化封装和优异的热性能,ST330S12P1PBF能够在有限的空间内提供可靠的功率处理能力,是替代传统TO-220或SMA封装肖特基二极管的理想选择。此外,该器件对瞬态电压具有良好的耐受能力,能在恶劣工作环境下保持稳定运行,增强了系统的鲁棒性。
型号:ST330S12P1PBF
制造商:STMicroelectronics
器件类型:肖特基势垒二极管
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大直流阻断电压(VR):30V
平均整流电流(IO):1.5A
峰值非重复浪涌电流(IFSM):30A
正向压降(VF):典型值0.36V(在1A,TA=25°C条件下),最大值0.48V
反向漏电流(IR):最大200μA(在30V,TA=125°C)
反向恢复时间(trr):≤15ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C
封装类型:PowerFLAT 2x2-6L
安装方式:表面贴装(SMD)
引脚数:6
ST330S12P1PBF采用先进的平面肖特基技术,实现了极低的正向导通压降与出色的开关性能之间的平衡。其正向压降在1A电流下仅为0.36V左右,显著降低了导通期间的功率损耗,从而提高了电源转换效率,尤其适用于电池供电设备中对能效要求较高的场合。
该器件具有极短的反向恢复时间(trr ≤ 15ns),几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关应用中可有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。此外,由于没有少子存储效应,肖特基二极管在关断过程中不会产生拖尾电流,进一步减少了开关损耗。
PowerFLAT 2x2-6L封装不仅体积小巧(仅2mm x 2mm),还具备优良的散热性能,通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB,支持高密度布局的同时保证长期工作的可靠性。该封装还优化了寄生电感和电阻,有助于改善高频下的动态响应。
ST330S12P1PBF的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在高温环境下稳定运行,适用于工业级和汽车级应用场景。器件通过AEC-Q101认证的可能性较高,适合用于车载信息娱乐系统或车身控制模块等对可靠性要求严苛的领域。
此外,产品符合RoHS指令和REACH法规,不含铅、镉等有害物质,并满足无卤素要求,支持绿色环保设计理念。其高浪涌电流承受能力(30A)也使其在面对输入端瞬态冲击时具备更强的鲁棒性,延长了系统寿命。
ST330S12P1PBF广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电源系统中。典型应用包括同步降压变换器中的续流二极管或自举二极管,特别是在多相VRM(电压调节模块)中用于CPU或GPU供电,能够有效降低功耗并提升效率。
在DC-DC转换器中,该器件常被用作输出整流二极管,因其低VF特性可显著减少能量损失,提高整体能效,适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和超极本的电源管理单元。
它也可用于逆变器电路、太阳能微逆变器、LED驱动电源以及电池充电管理系统中,作为防反接或能量回馈路径的开关元件。
在热插拔电路和OR-ing二极管配置中,ST330S12P1PBF凭借其快速响应能力和低导通压降,可防止反向电流流动并实现无缝电源切换,保障系统安全。
此外,在服务器、网络通信设备和工业控制板卡中,该二极管可用于隔离不同电源域或进行电压箝位保护,防止过压损坏下游IC。其小型封装特别适合空间受限的设计,同时仍保持良好的热管理和电气性能。
MBR130S12TP1G
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