时间：2025/9/14 0:50:31
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PSMN1R7-40YLDX 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，提供了优异的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源管理系统。PSMN1R7-40YLDX 采用无铅、符合RoHS标准的封装设计，适用于各种工业级应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：160A
功耗（Ptot）：130W
导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：1.7mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerSO-10
PSMN1R7-40YLDX 具备多项显著特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.7mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件在4.5V栅极驱动电压下即可实现优异的性能，适用于常见的低电压栅极驱动电路。
该MOSFET采用恩智浦先进的TrenchMOS技术，确保了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在突发短路或电感负载切换等极端条件下保持稳定运行。
PSMN1R7-40YLDX 采用PowerSO-10封装，具有良好的热管理能力，适用于需要高功率密度设计的电源系统。其封装设计也支持表面贴装（SMD），便于自动化生产并提升整体系统的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具备良好的抗静电能力（ESD）和热稳定性，适合各种严苛的工业和汽车应用环境。
PSMN1R7-40YLDX 广泛应用于高效能电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源分配系统以及高功率密度的电源模块。由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的工业电源、服务器电源、电信设备电源以及车载电源系统。
在电机驱动和逆变器应用中，PSMN1R7-40YLDX 能够提供快速的开关响应和低损耗特性，适用于高性能电机控制方案。此外，在高功率LED照明系统中，该器件也可作为主开关元件，提供稳定可靠的导通和关断性能。
SiR178DP-T1-GE3, IPB017N04LC G, FDS4410AS
