型号：ST300C18C0
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：MOSFET
　　技术类型：超级结MOSFET
　　漏源电压 V(BR)DSS：180 V
　　连续漏极电流 ID：300 A
　　脉冲漏极电流 IDM：900 A
　　栅源电压 VGS：±30 V
　　导通电阻 RDS(on) max：1.8 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极电荷 Qg typ：450 nC
　　输入电容 Ciss typ：12000 pF
　　输出电容 Coss typ：1100 pF
　　反向恢复时间 trr max：45 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　封装形式：TO-247

ST300C18C0具备出色的电气特性和热性能，是高性能电源系统中的关键元件之一。其核心优势在于采用了超级结（Super Junction）结构，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域，打破了传统MOSFET在击穿电压与导通电阻之间的线性关系，实现了在180V电压等级下极低的RDS(on)，典型值低至1.8mΩ。这不仅显著降低了导通损耗，还提升了整体能效，尤其在大电流应用场景中效果更为明显。
　　该器件的栅极电荷（Qg）经过优化设计，典型值为450nC，有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度，从而支持更高频率的开关操作，减小磁性元件体积，提升电源系统的功率密度。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过精心调控，在保证良好高频响应的同时避免了过大的容性负载对驱动电路造成压力。
　　ST300C18C0具备优异的开关特性，反向恢复时间（trr）控制在45ns以内，配合体二极管的快速恢复能力，可有效降低开关过程中的能量损耗和电压尖峰，提高系统EMI性能。此外，该器件具有良好的热稳定性，最高工作结温可达+175°C，确保在高温环境或高负载条件下仍能可靠运行。其封装采用TO-247，具备优良的散热能力，可通过外接散热器进一步增强热管理效果。
　　在可靠性方面，ST300C18C0通过了严格的工业级认证，具备高抗雪崩能力，能够承受一定的过压和瞬态应力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。同时，±30V的栅源电压耐受能力使其在驱动电路设计中更具灵活性，降低了因栅极过压导致器件损坏的风险。综合来看，ST300C18C0是一款面向高端电源应用的高性能MOSFET，兼具低损耗、高效率、高可靠性和良好热管理能力，是现代高效能电源系统设计的理想选择。

ST300C18C0广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括服务器电源和通信电源中的PFC（功率因数校正）电路，尤其是在图腾柱PFC拓扑中，其低导通电阻和快速开关特性能够显著提升系统效率。此外，该器件也常用于LLC谐振半桥或全桥转换器中作为主开关管，凭借其低Qg和低RDS(on)，可在MHz级开关频率下实现高能效转换，适用于数据中心、电信设备和工业自动化设备的供电单元。
　　在新能源领域，ST300C18C0可用于光伏逆变器的直流升压级或辅助电源模块，其高电压额定值和优异的热性能使其能够在户外复杂环境中长期稳定运行。同时，该器件也适用于电动汽车充电桩的内部电源管理模块，特别是在OBC（车载充电机）和DC-DC转换器中，有助于提高充电效率并减小系统体积。
　　工业电机驱动系统中的辅助电源、焊机电源、UPS（不间断电源）以及高频感应加热设备也是其重要应用方向。在这些应用中，ST300C18C18C0的高电流承载能力和快速响应特性能够满足瞬态负载变化的需求。此外，由于其具备良好的EMI性能和抗干扰能力，适合在电磁环境复杂的工业现场使用。总的来说，ST300C18C0适用于所有需要高效率、高可靠性和高功率密度的中高压开关电源场合。

STW300N18C