3S0680 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高压MOSFET功率晶体管,主要用于开关电源、适配器、电池充电器、照明设备等高电压应用场合。该器件采用先进的平面工艺制造,具备高击穿电压和低导通电阻的特点,适用于高效率、高可靠性的电源设计。3S0680采用TO-220AB封装,便于散热,能够在高电压环境下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大漏极电流(Id):3A(25℃)
导通电阻(Rds(on)):典型值2.5Ω
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:TO-220AB
3S0680具有多项优异的电气性能和物理特性。首先,其最大漏源电压可达650V,使其适用于高压电源转换系统,如开关电源和电池充电器等。该MOSFET的导通电阻Rds(on)典型值为2.5Ω,较低的导通电阻有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,其最大漏极电流为3A,在适当的散热条件下可支持较高功率的应用需求。该器件的栅极驱动电压范围较宽,最大栅源电压为±30V,增强了其在不同驱动电路中的适应性。
3S0680的最大功耗为50W,TO-220AB封装具备良好的散热性能,适合在高功率密度和高温环境下运行。其工作温度范围为-55℃至150℃,表明其具备良好的环境适应性和长期稳定性。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性,适用于需要高可靠性的工业和消费类电子设备。
3S0680广泛应用于多种高压电源转换系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可以作为主开关元件,用于高效的能量转换。在电池充电器中,3S0680可用于控制充电电流和电压,实现稳定可靠的充电过程。此外,该器件还适用于LED照明驱动电路,提供高效的恒流或恒压输出。在家电产品如微波炉、电饭煲等内部的高压电源模块中,3S0680也可作为关键的开关元件使用。
由于其高耐压特性,3S0680还可用于逆变器系统、电机驱动器以及各种适配器电路中。在工业自动化设备和电源管理系统中,该MOSFET可作为主控开关,实现高效的电能管理。其优异的热稳定性和宽工作温度范围也使其适用于户外或高温环境下运行的电子设备。
STW20NM60ND、FQA3N60C、2SK2141