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IXFH98N60X3 发布时间 时间:2025/8/5 20:46:30 查看 阅读:31

IXFH98N60X3是一款高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由IXYS公司生产。该器件设计用于高电流和高电压的应用,具备卓越的导通性能和快速开关特性,适用于工业电源、电机控制、电源管理和高效率转换系统等应用场景。IXFH98N60X3采用了先进的平面MOSFET技术,使其在高压条件下仍能保持较低的导通电阻,并有效减少开关损耗。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):98A
  导通电阻(Rds(on)):0.034Ω
  栅极电荷(Qg):260nC
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFH98N60X3的导通电阻非常低,仅为0.034Ω,这使得在大电流条件下导通损耗极低,从而提高系统效率。同时,该器件具备较高的最大漏极电流能力,使其适用于需要瞬时大电流的场合。其600V的漏源电压额定值确保了在高压系统中的稳定运行。
  该MOSFET采用了先进的平面技术,提供了优异的热稳定性和耐用性。此外,其较大的栅极电荷(Qg为260nC)虽然可能略微增加驱动电路的负担,但也确保了在高开关频率下的稳定性,从而适用于高频开关应用。
  在封装方面,IXFH98N60X3采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适合高功率密度的设计需求。这种封装形式也便于安装在散热器上,以提高热管理效率。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能,进一步增强了其在严苛环境下的可靠性。

应用

IXFH98N60X3广泛应用于各种高功率电子系统中,包括工业电源、不间断电源(UPS)、逆变器、电机驱动器和DC-DC转换器等。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。例如,在太阳能逆变器中,IXFH98N60X3可用于直流到交流的高效转换,提高整体系统的能源利用率。在电机控制应用中,该MOSFET能够提供稳定的电流控制,确保电机运行的平稳性和响应速度。此外,它还可用于高频开关电源和焊接设备等应用,满足高功率和高性能的需求。

替代型号

IXFH98N60P, IXFK98N60X, IXFH100N60X

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IXFH98N60X3产品

IXFH98N60X3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥139.52000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)98A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 49A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)90 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6250 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)960W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3