时间：2025/8/5 20:46:30
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IXFH98N60X3是一款高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件设计用于高电流和高电压的应用，具备卓越的导通性能和快速开关特性，适用于工业电源、电机控制、电源管理和高效率转换系统等应用场景。IXFH98N60X3采用了先进的平面MOSFET技术，使其在高压条件下仍能保持较低的导通电阻，并有效减少开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：98A
导通电阻(Rds(on))：0.034Ω
栅极电荷(Qg)：260nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXFH98N60X3的导通电阻非常低，仅为0.034Ω，这使得在大电流条件下导通损耗极低，从而提高系统效率。同时，该器件具备较高的最大漏极电流能力，使其适用于需要瞬时大电流的场合。其600V的漏源电压额定值确保了在高压系统中的稳定运行。
该MOSFET采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和耐用性。此外，其较大的栅极电荷（Qg为260nC）虽然可能略微增加驱动电路的负担，但也确保了在高开关频率下的稳定性，从而适用于高频开关应用。
在封装方面，IXFH98N60X3采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。这种封装形式也便于安装在散热器上，以提高热管理效率。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，进一步增强了其在严苛环境下的可靠性。
IXFH98N60X3广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器和DC-DC转换器等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。例如，在太阳能逆变器中，IXFH98N60X3可用于直流到交流的高效转换，提高整体系统的能源利用率。在电机控制应用中，该MOSFET能够提供稳定的电流控制，确保电机运行的平稳性和响应速度。此外，它还可用于高频开关电源和焊接设备等应用，满足高功率和高性能的需求。
IXFH98N60P, IXFK98N60X, IXFH100N60X
