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L2SC4617RT1G 发布时间 时间:2025/8/14 2:42:32 查看 阅读:3

L2SC4617RT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大电路应用。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具备良好的电气性能和稳定性,适用于多种电子电路设计。L2SC4617RT1G 采用 SOT-23 封装形式,适合表面贴装,适用于小型化和高密度电路板设计。

参数

晶体管类型:NPN 型 BJT
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):100V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  电流增益(hFE):110 至 800(根据工作点不同)
  频率响应(fT):100MHz

特性

L2SC4617RT1G 晶体管具有多项优异特性,适用于广泛的电子电路应用。首先,该晶体管的电流增益(hFE)范围较广,从110到800,根据不同的工作点可提供不同的增益性能,这使得它在放大电路中具有较高的灵活性和适应性。此外,其高频响应能力达到100MHz,使其在高频放大和开关电路中表现良好。
  该晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并且支持表面贴装技术(SMT),提高了自动化生产效率和焊接可靠性。L2SC4617RT1G 的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极电压为50V,能够在中等功率应用中稳定运行,同时功耗仅为300mW,具备良好的能效表现。
  该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统等。安森美半导体在制造过程中采用了高可靠性的工艺,确保该晶体管在长期运行中具备出色的稳定性和耐用性。

应用

L2SC4617RT1G 主要应用于需要中等功率处理能力的电子电路中。其最常见的应用包括通用开关电路、小信号放大器、逻辑电平转换、驱动LED或继电器等负载,以及作为数字电路中的开关元件。由于其高频响应能力较强,该晶体管也常用于射频(RF)前端电路、低噪声放大器(LNA)以及无线通信模块中的信号处理部分。
  在工业控制领域,L2SC4617RT1G 可用于传感器信号放大、继电器驱动和电机控制电路;在消费类电子产品中,如智能手机、可穿戴设备和平板电脑,它可用于电源管理、音频放大和接口电路设计。此外,该晶体管在汽车电子系统中也有广泛应用,例如车身控制模块、车载娱乐系统和车载传感器接口电路等,得益于其宽工作温度范围和高可靠性。
  由于其SOT-23封装形式,L2SC4617RT1G 非常适合用于高密度PCB设计,特别是在需要节省空间和提高生产效率的便携式设备中。同时,该晶体管也适用于需要低功耗和高稳定性的物联网(IoT)设备和智能传感器系统。

替代型号

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A

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