ST280CH06C0 时间：2025/12/26 19:47:47 阅读：8

ST280CH06C0是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET器件，属于高性能、高可靠性的场效应晶体管产品系列。该器件主要用于电源管理、电机控制、DC-DC转换以及工业和消费类电子设备中的开关应用。ST280CH06C0采用先进的沟道MOSFET制造工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。该器件封装形式通常为PowerFLAT或类似高性能功率封装，具备优良的散热性能，适用于紧凑型高密度电路设计。由于其出色的电气特性和鲁棒性，ST280CH06C0广泛应用于汽车电子、工业驱动、可再生能源系统及通信电源等领域。

参数

型号：ST280CH06C0
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：80A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：240A
　　导通电阻RDS(on)：2.8mΩ（@VGS=10V, ID=40A）
　　导通电阻RDS(on)：3.6mΩ（@VGS=4.5V, ID=40A）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：7000pF（@VDS=30V）
　　输出电容Coss：1800pF（@VDS=30V）
　　反向恢复时间trr：25ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

ST280CH06C0具备卓越的导通性能和开关效率，其超低导通电阻RDS(on)显著降低了在大电流应用下的导通损耗，从而提高了系统的整体能效。该器件在VGS=10V时RDS(on)低至2.8mΩ，在中等栅极驱动条件下仍能保持优异性能，适合用于高频率开关电源和同步整流电路。得益于先进的制程技术，该MOSFET在高温环境下依然保持稳定的工作特性，结温可达+175°C，确保了在严苛工况下的长期可靠性。
　　该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达80A，并支持高达240A的脉冲电流，适用于瞬态负载变化剧烈的应用场景，如电机启动、电池充放电管理等。其较低的栅极电荷Qg（典型值约70nC）和米勒电荷Qsw有助于减少驱动损耗，使控制器能够以更高的频率驱动MOSFET而不增加过多功耗，特别适用于高频DC-DC变换器和数字电源设计。
　　ST280CH06C0还具备良好的抗雪崩能力和坚固的结构设计，能够在电压瞬变和负载突变情况下提供可靠的保护。其封装采用PowerFLAT技术，底部带有裸露焊盘，便于PCB焊接和高效散热，有效降低热阻，提高功率密度。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101认证（若用于汽车级版本），适用于汽车电子系统中的各类功率控制模块，如电动助力转向（EPS）、车载充电机（OBC）和DC-DC转换器。
　　总体而言，ST280CH06C0是一款面向高性能功率应用的先进MOSFET，集成了低损耗、高电流、高可靠性与小型化封装等多项优势，是现代高效能电力电子系统中的理想选择。