产品系列：MSD
　　电感值：68 μH
　　容差：±20%
　　额定电流（Irms）：7.4 A
　　饱和电流（Isat）：9.5 A
　　直流电阻（DCR）：36 mΩ 最大
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　感应系数Q值：典型值 >30 @ 100 kHz
　　自谐振频率SRF：最小 35 MHz
　　封装尺寸：12.8 mm x 12.8 mm x 6.0 mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　屏蔽类型：磁屏蔽
　　核心材料：金属合金粉末
　　可焊性标准：符合IEC 60068-2-20
　　耐焊接热标准：符合IEC 60068-2-58

MSD1260-683MLB具有卓越的磁屏蔽性能，其封闭式金属合金磁芯结构显著减少了外部磁场泄漏，从而降低了对周边元器件的电磁干扰，提升了系统的整体EMI兼容性。这种屏蔽设计不仅提高了电感器自身的抗干扰能力，还允许其在高密度布局的PCB上安全使用，避免因临近元件耦合导致的性能下降。
　　该器件采用高纯度金属合金粉末作为磁芯材料，具备优异的磁通密度饱和特性，在大电流条件下仍能维持稳定的电感值，防止因电流骤增而导致的电感塌陷现象。这一特性对于瞬态负载变化频繁的电源系统尤为重要，例如在CPU或GPU供电的动态调压过程中，能够确保输出电压的稳定性与响应速度。
　　其低直流电阻（DCR）仅为36 mΩ最大值，意味着在传导大电流时产生的焦耳热损耗极小，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。这对于追求高能效和低功耗的设计至关重要，尤其是在数据中心、通信设备和工业控制系统等对能耗敏感的应用中。
　　此外，MSD1260-683MLB具备高达9.5 A的饱和电流和7.4 A的温升电流，表明其可在持续高负载条件下可靠运行而不发生磁芯饱和或过热损坏。器件的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适用于严苛环境下的工业级应用。其结构坚固，抗震性强，且通过了严格的环境可靠性测试，包括高温高湿储存、温度循环和耐焊接热冲击测试，确保在自动化回流焊过程中不会出现开裂或性能劣化。
　　该电感器支持高频操作，自谐振频率（SRF）不低于35 MHz，使其能够在数百kHz至数MHz的开关频率下保持良好的阻抗特性，适用于现代高频DC-DC变换器拓扑如Buck、Boost和SEPIC电路。其高品质因数（Q值）进一步优化了高频下的能量传输效率，减少无功功率损耗。

MSD1260-683MLB广泛应用于需要高电流、低损耗和良好EMI性能的电源管理电路中。典型应用场景包括服务器和工作站的多相电压调节模块（VRM），其中多个此类电感并联使用以满足处理器核心的大电流需求，同时保持出色的动态响应能力和热稳定性。
　　在通信基础设施设备如基站、路由器和交换机中，该电感常用于POL（Point-of-Load）电源转换器中，为ASIC、FPGA和其他高速数字IC提供干净、稳定的供电。其磁屏蔽特性有效抑制了高频噪声辐射，有助于满足严格的电磁兼容（EMC）认证要求。
　　此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、PLC模块、电机驱动器的辅助电源以及医疗电子设备中的隔离式DC-DC转换器。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分，MSD1260-683MLB同样表现出色，能够在宽输入电压范围和复杂电磁环境中可靠运行。
　　由于其表面贴装封装和小型化设计，它非常适合自动化批量生产，广泛用于消费类高端电子产品，如游戏主机、高性能显卡和笔记本电脑的主板电源设计中。其高可靠性也使其成为航空航天和铁路电子等对安全性要求极高的领域的优选元件之一。

ISD1260-683MLB
　　MSS1260-683MLB
　　XAL1210-683MLB
　　NR1260T683M
　　SRP1260-683