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ST180C04C1 发布时间 时间:2025/12/26 20:19:30 查看 阅读:20

ST180C04C1是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及反向电压保护等电路中。该器件采用紧凑型SOD-123FL封装,具有低正向压降和快速开关特性,适合高效率、小尺寸的便携式电子设备设计需求。ST180C04C1属于ST的Power Schottky系列二极管产品线,专为在高频开关环境中提供优异性能而设计。其结构基于先进的平面硅技术,确保了稳定可靠的电气特性和良好的热稳定性。该二极管的最大重复反向电压为40V,标称平均整流电流可达1A,在轻负载条件下表现出较低的功耗,有助于提升整体系统能效。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿性和可靠性,适用于自动化贴片生产工艺。由于其出色的电气性能与小型化封装优势,ST180C04C1常被用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑电源模块以及其他消费类电子产品中。

参数

型号:ST180C04C1
  制造商:STMicroelectronics
  器件类型:肖特基二极管
  封装类型:SOD-123FL
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  平均整流电流(IO):1A
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  正向电压降(VF):典型值0.48V(在1A时)
  最大反向漏电流(IR):0.5μA(典型值),最大5μA(在25°C,40V下)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  热阻(Rthj-case):约150 K/W
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

ST180C04C1的核心特性之一是其低正向导通压降,这得益于其肖特基势垒结构的设计。在1A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.48V,显著低于传统PN结二极管(通常在0.7V以上)。这一特性使得器件在传导过程中产生的功率损耗更小,从而提高了电源系统的整体效率,尤其适用于电池供电设备中对能效要求较高的应用场景。同时,低VF也有助于减少发热,提升系统的长期运行稳定性。
  另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管属于多数载流子器件,不存在少数载流子的储存效应,因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计。这种无反向恢复电荷的特性使其非常适合高频开关电源应用,如同步整流、DC-DC变换器中的续流或箝位电路。即使在高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率下,该器件仍能保持高效稳定的性能表现。
  ST180C04C1采用SOD-123FL超薄小型封装,外形尺寸约为2.0mm x 1.3mm x 1.0mm,具有极高的空间利用率,便于在高密度PCB布局中使用。该封装还优化了引脚设计以降低寄生电感和电阻,进一步提升了高频下的动态响应能力。此外,该封装具备良好的散热性能,结合芯片内部的热设计,可在较高环境温度下持续工作。
  该器件具有较宽的工作温度范围(-55°C至+150°C),能够在恶劣环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车级应用场合。其反向漏电流控制良好,在高温环境下依然保持较低水平,避免因漏电增加而导致不必要的功耗上升。整体而言,ST180C04C1通过集成高性能、小型化与高可靠性,成为现代电源管理方案中不可或缺的关键元件。

应用

ST180C04C1主要应用于需要高效率、小体积和快速响应的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的DC-DC升压或降压转换器,作为续流二极管或防止反向电流的保护元件。例如,在智能手机和平板电脑的电池充电管理电路中,该二极管可用于防止电池反向放电,保障系统安全。
  在同步整流架构尚未普及的小功率电源适配器或LED驱动电源中,ST180C04C04C1可作为主整流器件使用,利用其低正向压降减少能量损耗,提高转换效率。此外,它也常用于电压箝位电路中,吸收瞬态过电压,保护敏感的下游集成电路不受损坏。
  该器件还适用于各类嵌入式系统主板上的局部电源隔离,比如在不同电压域之间实现单向供电隔离,防止电源倒灌导致逻辑混乱或芯片损坏。在USB供电接口、Type-C PD电源路径管理中,也可用作理想的二极管替代方案,配合MOSFET进行智能电源切换。
  由于其良好的温度稳定性和可靠性,ST180C04C1也被广泛用于工业控制设备、网络通信模块以及车载信息娱乐系统等对长期运行稳定性要求较高的领域。无论是用于AC-DC辅助电源还是板载LDO之前的预稳压电路,该二极管都能提供可靠的单向导通功能,有效提升整个系统的鲁棒性与能效表现。

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