时间：2025/6/6 15:20:51
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AMK107BJ226MA-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用 N 沟道增强型技术，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款芯片特别适合在中高压应用场景下使用，其封装形式为 TO-220，能够有效散热，同时支持表面贴装工艺，便于大规模生产。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：0.22Ω
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
1. 高击穿电压设计，适用于高电压应用环境。
2. 极低的导通电阻，减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关特性，能够实现高频操作，从而减小外围元件尺寸。
4. 内置反向二极管，提供额外保护功能。
5. 优异的热性能表现，即使在高温环境下也能保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，满足现代工业要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流管。
2. 工业电机驱动电路中的功率级元件。
3. LED 照明系统的恒流控制模块。
4. DC-DC 转换器中的高频功率开关。
5. 电动车及电池管理系统中的功率管理单元。
6. 其他需要高效功率转换的应用领域。
IRF840, STP12NK60Z, FDP16N60C
