类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5Ω
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

BUL505F具有多个显著的特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高漏源电压能力（800V）使其适用于高电压环境，能够承受较大的电压波动。其次，该MOSFET的连续漏极电流为5A，能够在高电流条件下保持稳定的工作状态，适合需要高电流的应用。此外，BUL505F的导通电阻为1.5Ω，这一低电阻值有助于降低导通损耗，提高整体效率。该器件的功耗为50W，能够在高功率条件下保持良好的热稳定性，避免过热损坏。BUL505F的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种极端环境条件。其存储温度范围也为-55°C至+150°C，确保在存储和运输过程中不会受到损坏。TO-220封装形式不仅便于安装，还能有效散热，确保器件在高功率应用中的稳定性。

BUL505F广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。其主要应用包括电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化设备。在开关电源中，BUL505F可以作为主开关元件，利用其高电压和高电流能力，确保电源系统的高效运行。在DC-DC转换器中，该MOSFET能够实现高效的电压转换，适用于各种便携式设备和工业设备。此外，BUL505F还可用于电机驱动器中，提供稳定的高功率输出，确保电机的高效运行。在工业自动化设备中，BUL505F可用于控制高功率负载，确保系统的稳定性和可靠性。

BUL505AF, BUL506F