BS-32-10-NB 是一款由 IXYS 公司(原 International Rectifier)生产的功率晶体管,属于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类别。这款MOSFET专为高功率应用设计,具备高耐压、高电流容量和低导通电阻等特性,适用于电源管理、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等工业和汽车电子领域。BS-32-10-NB 采用 TO-247 封装,具备良好的热管理和机械稳定性,适合在高负载环境下工作。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):32A
导通电阻(Rds(on)):约6.5mΩ(典型值)
功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
BS-32-10-NB MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的平面技术制造,确保了良好的热稳定性和可靠性。
此外,BS-32-10-NB 具备出色的雪崩能量耐受能力,使其在突发电压冲击下仍能保持稳定运行,适用于高可靠性的工业和汽车应用。
该MOSFET还具有快速开关能力,适用于高频开关电路,有助于减小外围元件的体积和重量,提升整体设计的紧凑性。
TO-247 封装形式提供了良好的散热性能,允许在高功率密度环境下使用,同时便于安装在散热器上以增强热管理。
BS-32-10-NB 还具有较高的栅极电荷(Qg)特性,设计人员在选择驱动电路时需考虑这一点,以确保快速且稳定的开关操作。
BS-32-10-NB MOSFET 主要应用于高功率电子设备中,例如:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、UPS(不间断电源)、电机控制器和电动车电驱系统等。在工业自动化和控制系统中,BS-32-10-NB 也常用于功率调节和负载开关控制。此外,在汽车电子领域,如车载充电器、电池管理系统(BMS)和48V轻混系统中,BS-32-10-NB 也表现出良好的性能和可靠性。其高耐压和大电流能力使其在需要高效率和高稳定性的应用中成为理想选择。
IRF3205, SiR320DP-T1-GE3, IPW90R120C3, FDP3205