型号：ST110S14
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：110V
　　最大连续漏极电流（ID）：7.5A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：30A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：14mΩ @ VGS=10V, ID=3.7A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=4.5V, ID=3.7A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：24nC @ VDS=90V, ID=7.5A
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（PD）：50W @ TC=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

ST110S14采用意法半导体独有的SuperMESH3高压MOSFET工艺技术，这项技术通过优化元胞密度与外延层掺杂剖面，在保证高击穿电压的同时显著降低了导通电阻和开关损耗。这种工艺使得器件在110V额定电压下仍能实现仅14mΩ的超低RDS(on)，从而大幅减小导通期间的能量损耗，提高电源系统的整体能效。此外，该工艺增强了器件的均匀性和重复性，确保批量产品具有一致的电气性能表现，有利于大规模生产的品质控制。
　　器件具备极低的栅极电荷（Qg = 24nC）和输入电容（Ciss = 1300pF），这使其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的电荷更少，从而降低驱动功耗并简化驱动器设计，尤其适用于PWM频率较高的DC-DC变换器或LLC谐振拓扑。同时，较低的Ciss也有助于减少开关瞬间的dv/dt干扰，提升系统EMI性能。此外，ST110S14具有快速的开关响应能力，其反向恢复时间（trr）仅为45ns，配合体二极管优化设计，有效抑制了交叉导通和直通风险，进一步保障了系统安全性。
　　热性能方面，TO-252封装提供了优良的热传导路径，允许将芯片产生的热量高效传递至PCB铜箔或散热片。在良好散热设计下，器件可长时间承载7.5A连续漏极电流而不发生热失控。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够适应极端环境条件，如高温工业现场或低温户外设备。此外，器件具备优秀的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路情况下吸收一定的雪崩能量，避免立即损坏，提高了系统的鲁棒性。综合来看，ST110S14是一款兼顾高效率、高可靠性与紧凑尺寸的理想功率开关器件，特别适合对空间和能效有严格要求的应用场景。

ST110S14广泛用于各类中等功率开关电源系统中，尤其是在AC-DC适配器、离线式反激电源和同步整流电路中发挥关键作用。凭借其110V耐压等级和低导通电阻，该器件可在宽输入电压范围内稳定工作，适用于全球通用输入（85V~265V AC）电源设计中的初级侧开关或次级侧同步整流。在LED照明驱动电源中，ST110S14可用于恒流控制回路的主开关元件，提供高效且稳定的输出电流，延长灯具寿命。
　　在DC-DC降压转换器（Buck Converter）和升降压拓扑（Buck-Boost）中，ST110S14作为主功率开关管使用时，能够显著降低导通损耗，提升转换效率，尤其适用于车载充电器、便携设备电源模块等对效率敏感的应用。此外，在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥电路中作为低端或高端开关，驱动直流电机或步进电机，实现精确的速度与方向控制。其快速开关特性有助于减少换相过程中的能量损耗，提升驱动响应速度。
　　工业控制系统中的继电器替代、固态开关、电磁阀驱动等场合也常采用ST110S14，因其具备高可靠性和长寿命，相比传统机械开关更具优势。在通信电源、网络设备供电单元及服务器辅助电源中，该器件同样扮演重要角色。此外，由于其表面贴装封装形式，便于实现自动化贴片生产，适合大批量制造需求。总之，凡是需要高效、小型化、高可靠性的功率开关解决方案的地方，ST110S14都是一个极具竞争力的选择。

STP110N15F7
　　IRF1404
　　IPD95R199P7
　　FDP110N15F
　　TK11A60U