2SC4617BR 时间：2025/12/25 14:17:29 阅读：26

2SC4617BR是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的NPN双极结型晶体管（BJT），专为高频和高增益应用设计。该器件采用紧凑的表面贴装小型封装（通常为SC-70或类似的小型化封装），非常适合空间受限的便携式电子设备。作为一款通用射频放大器或高速开关晶体管，2SC4617BR在无线通信、音频前置放大、信号调理以及低噪声放大电路中具有广泛的应用潜力。其结构经过优化，能够在较低的工作电流下实现较高的直流电流增益（hFE），同时具备良好的频率响应特性，使其适用于高频小信号处理场景。该晶体管的工作性能稳定，温度范围宽，符合工业级应用标准，并且通过了无铅（Pb-free）和环保工艺认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其高可靠性和一致性，2SC4617BR常被用于移动终端、蓝牙模块、Wi-Fi射频前端、传感器接口电路以及其他需要小型化与高性能兼顾的设计中。

参数

类型：NPN Bipolar Transistor
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功率耗散（PD）：200 mW
　　直流电流增益（hFE）：80 至 320（典型值取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：80 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SC-70（SOT-323）

特性

该晶体管具备优异的高频响应能力，其典型的过渡频率（fT）可达80 MHz，使其能够在中高频模拟信号放大应用中保持良好的增益和线性度。这一特性使得2SC4617BR特别适合用于射频接收前端的小信号放大器设计，例如在FM收音机、无线遥控、物联网设备中的RF解调电路等场合。
　　其直流电流增益（hFE）具有较宽的范围（80至320），并且在低集电极电流（如1 mA至10 mA范围内）仍能维持较高增益水平，这有助于提升电路的灵敏度和信噪比表现。此外，器件的增益分布集中且一致性好，便于批量生产时减少外围补偿元件的需求。
　　2SC4617BR采用了先进的硅外延平面工艺制造，确保了器件的高度可靠性与长期稳定性。其漏电流（如ICBO和ICEO）非常低，在高温环境下也能保持良好的关断特性，有效降低静态功耗，提高系统能效。
　　由于采用SC-70小型表面贴装封装，该晶体管不仅节省PCB空间，还具备优良的热传导性能和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产线。其引脚布局符合标准配置，便于与其他同类器件进行互换或替换设计。
　　整体上，该器件在噪声系数、开关速度和增益带宽积之间取得了良好平衡，是中小功率模拟和数字电路中理想的通用型NPN晶体管选择。

应用

广泛应用于便携式消费类电子产品中的小信号放大电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的音频前置放大器或传感器信号调理模块；
　　用于无线通信系统的射频放大器级，包括蓝牙模块、Zigbee收发器、无线局域网（WLAN）前端电路等；
　　作为高速开关元件应用于脉冲宽度调制（PWM）控制、逻辑驱动电路或LED调光电路中；
　　在工业自动化传感器接口电路中，用于微弱信号的初级放大和阻抗匹配；
　　适用于各类需要高增益、低噪声和小型化封装的模拟电路设计，如麦克风放大器、光电探测器读出电路以及低功耗唤醒检测电路等场景。