制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　产品系列：CY7C1383D
　　存储容量：256K × 18 位
　　存储类型：异步双端口 SRAM
　　供电电压：3.3V
　　访问时间：133ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装/外壳：100-TQFP
　　接口类型：并行异步
　　字节写使能：支持（UB / LB）
　　端口数量：2（左端口和右端口）
　　数据宽度：18 位
　　存储密度：4,608 Kbit
　　时钟类型：无（异步）

CY7C1383D-133AXC 的核心特性之一是其真正的双端口架构设计，即左右两个完全独立的端口均可同时对同一存储体进行读写操作。每个端口都配备完整的地址线（A0-A17）、数据线（I/O0-I/O17）以及控制信号（如 CE、OE、WE、LB、UB），使得两个不同的主控制器可以并行地访问内存，极大地提升了系统的吞吐能力和响应速度。这种结构特别适用于需要高速数据交换的系统，例如在一个端口由 DSP 写入采集数据的同时，另一个端口由 MCU 或 FPGA 进行读取处理。
　　该器件具有优异的时序性能，访问时间仅为 133ns，能够满足大多数中高速嵌入式系统的实时性要求。其异步操作模式不需要外部时钟同步，简化了系统设计，降低了电磁干扰风险。同时，器件支持局部写使能（字节写），通过高位字节使能（UB）和低位字节使能（LB）信号，用户可以选择仅更新高 8 位、低 8 位或中间 2 位数据，提高了数据操作的灵活性和效率。
　　在可靠性方面，CY7C1383D-133AXC 采用先进的 CMOS 工艺制造，具备低功耗、高噪声抗扰度和良好的热稳定性。它能够在 -40°C 到 +85°C 的宽温范围内正常工作，符合工业级应用标准，适用于恶劣环境下的长期运行。此外，TQFP-100 封装提供了良好的电气连接性和机械强度，并兼容自动化贴片工艺，有利于大批量生产和维修替换。
　　值得注意的是，由于该器件属于静态 RAM，只要保持供电即可持续保存数据，不存在刷新周期，因此不会出现动态 RAM 中常见的访问中断或延迟波动问题。这使其非常适合用于关键任务的数据缓存和共享内存场景。虽然没有集成仲裁电路（如信号量或中断逻辑），但可通过外接逻辑或软件协议实现端口间的协调访问，从而构建更复杂的多处理器协同系统。

CY7C1383D-133AXC 广泛应用于需要高速、可靠共享内存的电子系统中。典型应用场景包括通信设备中的数据缓冲，例如在路由器或交换机中作为不同处理单元之间的数据暂存区，实现报文的快速转发与调度。其双端口特性允许多个处理器共享同一数据块，避免了传统单端口 RAM 所需的轮询或锁机制带来的延迟。
　　在数字信号处理（DSP）系统中，该芯片常被用作主机处理器与 DSP 芯片之间的共享内存。例如，在雷达、音频处理或图像识别系统中，主机负责配置参数并接收结果，而 DSP 持续进行算法运算，两者通过 CY7C1383D-1383D 实现高效数据交互。由于其异步接口特性，可轻松匹配不同工作频率的处理器，增强了系统的兼容性和扩展性。
　　此外，该器件也常见于测试与测量仪器，如示波器、逻辑分析仪等，用于存储采样数据流，并允许控制单元和显示模块同时访问数据。在工业自动化领域，可用于 PLC 或运动控制器中实现多轴联动的数据同步。其工业级温度特性和高可靠性保障了在工厂环境下长时间稳定运行。
　　其他应用还包括军事电子系统、航空航天设备以及医疗成像装置中，作为关键子系统间的数据桥梁。尽管随着新型 QDR SRAM 和 DDR 存储器的发展，部分高性能场合已转向更快的解决方案，但 CY7C1383D-133AXC 凭借其成熟的设计、稳定的供货和广泛的配套资料，仍在许多现有产品中继续服役，并在新设计中用于成本与性能平衡的中端应用。

CY7C1383D-133BXC
　　CY7C1383D-167AXC
　　CY7C1384D-133AXI
　　IDT71V3576S133PFGI
　　ISSI IS61WV25618BLL-133MLI