时间：2025/5/22 21:27:50
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ST10R172LT1 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压、低导通电阻的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 ST 的先进制造工艺，具有出色的电气特性和可靠性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效功率管理的场合。
ST10R172LT1 的封装形式为 TO-263 (D2PAK)，这种封装具备良好的散热性能和易于安装的特点，非常适合高功率密度应用环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：17.2A
栅极电荷：94nC
导通电阻（典型值）：1.05Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
结温：175℃
ST10R172LT1 提供了卓越的性能表现，主要特点如下：
1. 高击穿电压（650V），适合各种高压应用场景。
2. 低导通电阻（典型值为 1.05Ω），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（94nC），可实现高频操作。
4. 极其宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子设计要求。
6. 强大的散热性能，确保长时间稳定工作。
ST10R172LT1 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器。
2. 各类 DC-DC 转换器及逆变器。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关应用。
6. 电池充电管理系统。
由于其高性能和可靠性，这款 MOSFET 在许多对效率和热管理有较高要求的应用中表现出色。
STP17N65M5,
IRFP260N,
FDP18N65C3
