BC856BRTKP 时间：2025/12/28 16:06:49 阅读：10

BC856BRTKP 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的双极性晶体管（BJT）阵列产品。该器件集成了两个NPN型晶体管在一个小型封装中，适用于各种通用开关和放大应用。该晶体管阵列采用SOT-563封装，具有紧凑的尺寸，适用于空间受限的电路设计。BC856BRTKP 在设计中集成了内部偏置电阻，简化了外围电路的设计，同时提高了系统的稳定性。

参数

类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：100V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：SOT-563

特性

BC856BRTKP 具有优异的电气性能和高可靠性。其内部集成的偏置电阻减少了外部电路所需的元件数量，从而降低了电路的复杂性和成本。该器件的两个NPN晶体管在性能上保持高度匹配，适合需要对称性要求较高的电路应用。晶体管的工作电压范围较宽，最大集电极-发射极电压达到100V，使其适用于多种电源管理、信号切换和放大电路。此外，SOT-563封装具有较小的尺寸，便于在高密度PCB设计中使用，同时具有良好的热性能，能够有效地散热。BC856BRTKP 的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，确保了在各种环境条件下稳定运行。
　　该晶体管阵列的增益（hFE）较高，并且在不同电流条件下的稳定性较好，使其适合用于低频和中频放大器设计。由于其内部电阻的精确匹配，BC856BRTKP 可以直接用于逻辑电路的接口设计，例如将微控制器的输出信号放大以驱动继电器、LED或其他负载。此外，其较低的饱和压降（Vce_sat）有助于提高能效，减少功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。

应用

BC856BRTKP 主要用于需要双晶体管配置的电路设计中，例如差分放大器、推挽输出级、逻辑电平转换、继电器或LED驱动电路等。由于其集成内部偏置电阻，该器件非常适合用于数字开关电路，能够简化电路设计并提高可靠性。此外，BC856BRTKP 也常用于电源管理、电机控制、传感器接口、音频放大器前级以及各类嵌入式系统中。其SOT-563封装形式使其特别适合用于便携式电子设备、消费电子产品、工业自动化控制系统以及汽车电子应用。