T820029004DH 时间：2025/8/7 3:32:24 阅读：30

T820029004DH 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高效率电源转换和功率控制电路中。这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频率下工作，适用于如DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制等应用。T820029004DH 通常采用SOP（小外形封装）或类似的小型封装形式，以满足现代电子设备对小型化和高功率密度的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：4A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：29mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

T820029004DH 作为一款高性能的N沟道MOSFET，具备多项优异特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为29mΩ，这在电源管理应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受的最大漏极电流为4A，漏源电压为30V，适用于多种中低功率应用场景。此外，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了较高的驱动灵活性，使得它可以与多种驱动电路兼容。
　　T820029004DH 的封装形式为SOP-8，这种小型封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和散热管理。器件的功率耗散为2W，在适当的散热设计下，能够满足高功率密度的设计需求。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应了宽温度范围的应用环境，确保了在恶劣条件下的稳定运行。
　　此外，该MOSFET还具备快速开关特性，能够在高频率下工作，适用于需要高频操作的电源转换器和电机控制电路。其内部结构优化设计，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。T820029004DH 还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中的可靠运行。

应用

T820029004DH 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为主开关器件，实现高效的电压转换。在同步整流电路中，T820029004DH 可以替代传统的二极管整流，显著提高整流效率，减少能量损耗。此外，该器件还可用于负载开关电路，实现对负载的快速控制，适用于电池供电设备的电源管理。
　　在电机控制领域，T820029004DH 可用于H桥电路中的开关器件，实现电机的正反转控制和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻使其在电机驱动中表现出色，能够提高电机驱动效率并减少发热。此外，该MOSFET还可用于电源管理系统中的过流保护和短路保护功能，确保系统的安全运行。
　　在消费类电子产品中，T820029004DH 可用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的电源管理模块，提供高效、稳定的电源控制。在工业设备中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源和自动化控制系统的功率管理部分。