ST10080HC/C2 时间：2025/12/26 16:15:01 阅读：17

ST10080HC/C2是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术和场截止工艺设计，专为高效率开关应用而优化。该器件通常封装于TO-220或类似的通孔封装中，具备低导通电阻、高电流承载能力以及良好的热稳定性，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等多种工业与消费类电子场景。其设计注重在高频开关条件下降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体能效。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。器件符合RoHS环保标准，适合无铅焊接工艺，广泛应用于绿色能源和节能设备中。
　　ST10080HC/C2中的命名可能遵循ST的命名规则：‘ST’代表制造商，‘100’可能表示最大漏源电压等级（如100V），‘80’可能指代特定系列或导通电阻等级，‘H’可能表示高电压特性，‘C’可能表示技术代别或封装类型，而‘/C2’则可能代表分档或特定测试标准下的版本。该器件在数据手册中通常会提供详细的动态参数，如输入电容、输出电容、反向传输电容（Crss）、栅极电荷（Qg）等，用于评估其在高频开关电路中的性能表现。

参数

型号：ST10080HC/C2
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：80 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：320 A
　　最大功耗（Ptot）：200 W（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：8.0 mΩ（典型值，Vgs=10V, Id=40A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装类型：TO-220
　　极性：N-Channel Enhancement Mode

特性

ST10080HC/C2具备多项先进电气与热学特性，使其在高功率密度和高效率应用场景中表现出色。首先，其超低导通电阻Rds(on)仅为8.0mΩ，在同类100V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在大电流负载下可有效减少发热，提高系统效率。该特性得益于ST先进的沟槽栅极结构和场截止技术，优化了载流子分布与漂移区电阻，实现了导通损耗与开关速度之间的良好平衡。
　　其次，该器件具有优异的开关性能。其输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）经过优化设计，使得在高频开关应用中能够实现快速的开关响应，同时降低驱动电路的负担。较低的栅极电荷（Qg）意味着在相同开关频率下所需的驱动能量更少，进一步提升了系统的能效。这对于开关电源、同步整流和电机控制等高频工作环境尤为重要。
　　第三，ST10080HC/C2具备出色的热稳定性和可靠性。其最大结温可达175°C，并支持高达200W的功率耗散（在理想散热条件下），表明其可在高温环境下长期稳定运行。器件内部采用高强度键合线和优质硅片材料，确保在高电流冲击下仍能保持结构完整性。此外，该MOSFET具备较强的雪崩耐量，能够在意外电压尖峰或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，提高了系统鲁棒性。
　　最后，该器件兼容标准栅极驱动电压（如10V~12V），无需负压关断，简化了外围驱动电路设计。其TO-220封装便于安装散热片，适合多种PCB布局和散热方案，广泛适用于工业电源、电动车控制器、逆变器、UPS和太阳能充电系统等领域。

应用

ST10080HC/C2广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用，其低Rds(on)和快速开关特性有助于提升转换效率并减小散热需求。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或BLDC电机的H桥驱动电路中，承担高电流切换任务，实现精确的速度与扭矩控制。此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能光伏系统中，ST10080HC/C2可用于DC-AC转换环节的功率级，处理电池或光伏阵列的高电流输出。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车辅助系统以及大功率LED驱动电源等场景。由于其封装形式为TO-220，易于手动焊接和维护，因此在原型开发和中小批量生产中也广受欢迎。