CBW321609U000T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率应用场景设计。该芯片采用先进的封装工艺,能够显著提升系统能效并降低热损耗。其典型应用包括 DC-DC 转换器、电源适配器和无线充电模块等。CBW321609U000T 提供了出色的开关性能,同时具备过流保护、过温保护等功能,确保在复杂工况下的可靠性。
由于其高开关频率特性,使用该芯片可以减少磁性元件体积,从而实现更紧凑的设计方案。
型号:CBW321609U000T
类型:GaN 功率开关
额定电压:650 V
额定电流:9 A
导通电阻:160 mΩ
栅极电荷:80 nC
最大工作温度范围:-40 ℃ 至 +150 ℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
开关频率:最高 5 MHz
漏源击穿电压:750 V
总功耗:20 W
CBW321609U000T 的主要特点是结合了高性能与低功耗的优势。它采用了增强型 GaN 晶体管技术,具有以下特性:
1. 高开关频率支持,使得设计小型化成为可能。
2. 极低的导通电阻降低了传导损耗,有助于提高整体效率。
3. 内置多重保护功能,如过流保护和过温关断,增强了系统的可靠性和安全性。
4. 栅极驱动兼容标准逻辑电平,简化了电路设计过程。
5. 出色的热性能表现,适合高温环境下的长期运行。
此外,该芯片经过严格的测试流程,符合 RoHS 和 REACH 等环保标准要求。
CBW321609U000T 广泛应用于需要高效率和高频工作的场景,具体包括:
1. 开关电源(Switching Power Supply, SMPS)中的主开关管。
2. 用于消费电子设备的小型化 AC-DC 适配器。
3. 数据中心服务器的高效 DC-DC 转换模块。
4. 无线充电发射端和接收端功率管理部分。
5. LED 驱动电源及电动汽车车载充电器等领域。
由于其卓越的性能,CBW321609U000T 在快充技术和新能源汽车领域也有较大潜力。
CBW321612U000T, CBW321609U100T