时间：2025/8/12 18:08:03
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GSD4E-9316-TR 是一款由 Good-Ark Semiconductor（固态电子）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件设计用于高效率、高频率和高功率密度的应用场景，例如电源转换、电机控制、DC-DC 转换器和电池管理系统。GSD4E-9316-TR 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻和出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
导通电阻（Rds(on)）：约1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
GSD4E-9316-TR 功率 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽式结构技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，GSD4E-9316-TR 的 TO-263 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的运行温度。这种封装形式还具有良好的焊接性和机械稳定性，适合自动化生产和表面贴装工艺。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持灵活的驱动电路设计，并具备较强的抗干扰能力。在极端温度条件下，GSD4E-9316-TR 仍能维持稳定的电气性能，适用于工业控制、汽车电子和可再生能源系统等严苛环境下的应用。
为了提高可靠性和使用寿命，该器件内部集成了多种保护机制，如过温保护和短路保护，有效防止因异常工作条件导致的损坏。此外，其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）特性进一步降低了开关损耗，提高了系统的动态响应速度。
GSD4E-9316-TR 广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。例如，在电源管理领域，它可用于构建高效率的 DC-DC 转换器和同步整流器，显著提高能源利用率。在电机控制方面，该器件的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于无刷直流电机（BLDC）和伺服电机的驱动电路中。
在电池管理系统中，GSD4E-9316-TR 可用于实现高效的充放电控制，确保电池组的安全运行和长寿命。同时，由于其优异的热稳定性和高温耐受性，该 MOSFET 在工业自动化控制系统、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等应用中也表现出色。
此外，该器件还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和高压电池管理系统（BMS），能够满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
SiSS160L, IRF160Z, NexFET CSD16406Q5BZ
