CS5N20 时间：2025/8/2 1:53:00 阅读：19

CS5N20是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于高效率、高频开关应用。CS5N20通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：5A
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.45Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK等

特性

CS5N20 MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，能够在高电压下提供较低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高系统效率。其最大漏源电压为200V，适合中高压功率转换应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动，便于与多种控制器和驱动器配合使用。
　　CS5N20具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于需要长时间稳定运行的工业和汽车应用。其封装形式（如TO-220和DPAK）具备良好的散热性能，便于安装和散热设计。此外，该器件的快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用，有助于减小外围元件尺寸并提高系统集成度。
　　在短路和过载情况下，CS5N20具备一定的耐受能力，配合外部保护电路可实现更安全的系统运行。其低门电荷（Qg）也降低了驱动损耗，提升了整体能效。