时间：2025/8/6 16:26:00
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HM5165165F56 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于早期的DRAM产品系列，通常用于计算机系统和嵌入式设备中作为主存储器使用。HM5165165F56 采用256K x 16的组织结构，提供较大的数据存储容量，适用于需要高速数据处理的场景。其封装形式通常为50引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适合高密度PCB布局。
类型：DRAM
容量：4 Mbit（256K x 16）
工作电压：5V
访问时间：5.4 ns（典型值）
封装类型：50引脚TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
刷新周期：64ms
最大工作频率：166 MHz
HM5165165F56 DRAM芯片具有较高的数据存取速度，其5.4 ns的访问时间使其适用于需要快速响应的系统。该芯片支持异步操作，能够适应多种系统时序要求。此外，它具备标准的DRAM刷新机制，确保数据在断电前的稳定性。HM5165165F56 的TSOP封装设计有利于节省PCB空间，并提供良好的散热性能，适用于嵌入式系统、工业控制设备及老式计算机主板。
该芯片的异步控制逻辑使其能够与多种类型的处理器和控制器兼容，无需复杂的时钟同步电路。其5V电源供电设计确保了在不同环境下的稳定运行，并兼容多种电源管理系统。此外，HM5165165F56 支持CMOS工艺，具有较低的功耗和较高的抗干扰能力，在复杂电磁环境中仍能保持良好的工作性能。
HM5165165F56 主要应用于早期的计算机系统、工业自动化控制设备、通信设备以及嵌入式系统中。其高速存取能力和较大的存储容量使其适用于需要频繁数据交换的应用场景，如图形处理、数据缓存和系统内存扩展。此外，该芯片也可用于老旧设备的维修与替换，以维持原有系统的正常运行。
TC51V616BBA80BFT, CY62148EVLL35ZSX, HY57V641620BTC-6B
