时间：2025/12/29 15:22:10
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SSW4N80AS是一款由Sanken Electric（三健电気）制造的高电压、高电流能力的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高稳定性的电源管理和功率转换应用。该器件设计用于在高达800V的漏极-源极电压下工作，并具备良好的导通电阻特性和快速开关性能。SSW4N80AS采用TO-220封装，适合用于各种工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器以及马达控制应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：800V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
SSW4N80AS MOSFET具有多个关键特性，使其在高压功率应用中表现优异。首先，它具备高耐压特性，漏极-源极最大电压可达800V，适用于高电压环境下的开关操作。其导通电阻在VGS = 10V时仅为2.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，最大可达±30V，使得其在不同驱动条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其最大功耗为50W，可在较恶劣的环境条件下运行。同时，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种工业环境的应用需求。
SSW4N80AS在设计上还考虑了高可靠性，通过优化内部结构，降低了开关损耗并提高了抗雪崩能力。这使得它在高频开关应用中表现尤为出色，适用于电源适配器、LED驱动器、电机控制和DC-DC转换器等场合。
SSW4N80AS广泛应用于各种需要高电压和中等电流控制的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制器、DC-AC逆变器、电源适配器、工业控制设备以及电池充电器等。由于其具备较高的漏极-源极电压耐受能力和良好的导通性能，该MOSFET特别适用于需要高效率和高稳定性的设计。在LED驱动器中，SSW4N80AS可用于构建高效的恒流电源系统；在电机控制应用中，它可以作为功率开关实现精确的速度和扭矩控制。此外，该器件在光伏逆变器和储能系统中也有广泛应用，作为核心的功率转换元件。
STP4NK80Z, FQP4N80, IRF840, SSW5N80AS
