类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：4.7A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：65W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-220

FQB5N50CTF的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高能效。该特性在高电流应用中尤为重要，因为它能够减少热量生成并提升系统效率。
　　其次，FQB5N50CTF具有高达500V的漏源击穿电压（VDS），使其适用于高压电源应用，如AC-DC电源适配器和离线式电源系统。该器件的栅极阈值电压范围为2V~4V，与常见的逻辑电平兼容，能够直接由微控制器或PWM控制器驱动。
　　此外，FQB5N50CTF采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散能力的电路。其最大功耗为65W，可在较高环境温度下稳定工作。
　　该MOSFET还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压尖峰或感性负载切换过程中提供更高的可靠性和耐用性。这种特性对于电机控制、继电器驱动和电源保护电路尤为重要。

FQB5N50CTF广泛应用于各种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动电路和电机控制模块。在开关电源中，它可用于高压侧开关，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，FQB5N50CTF能够作为主开关器件，用于升压或降压拓扑结构，以提高电源效率。此外，该器件也可用于电机驱动和继电器控制，在工业自动化系统中发挥重要作用。由于其高耐压和良好的热管理能力，FQB5N50CTF还适用于LED照明驱动电路，确保长时间稳定运行。

FQA5N50C、FQP5N50C、IRFBC40、FQB6N60CTF