时间：2025/6/18 21:27:38
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PBHV8115T 是一款高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合在高效率功率转换电路中使用。
这款芯片通常以 TO-220 封装形式提供，便于散热设计，并且能够在较高电压环境下稳定工作。其主要特点是高耐压能力、低导通损耗以及良好的热稳定性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：15nC
总电容：450pF
功耗：20W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
1. 高耐压能力：支持高达 650V 的漏源电压，适用于多种高压场景。
2. 低导通电阻：典型值为 3.5Ω，可有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能：栅极电荷小（15nC），有助于提高工作效率并减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在 -55℃ 至 150℃ 的宽温范围内正常运行。
5. 小型封装：采用 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
6. 可靠性高：经过严格的质量测试，确保长期使用的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. LED 驱动器
3. 电机驱动与控制
4. 负载切换电路
5. 电池保护电路
6. 充电器及适配器
7. 工业自动化设备中的功率控制模块
IRF840, K1208, FQP16N65C
