SSS70N10A 时间：2025/12/29 15:02:15 阅读：9

SSS70N10A 是一款由 Sanken（三研）公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件设计用于高效能的功率转换和控制电路中，具备较低的导通电阻以及优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、马达控制以及开关电源等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：70A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 8.5mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

SSS70N10A 的核心特性包括其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作条件下能有效减少功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性和散热性能，能够在恶劣的工作环境中保持可靠运行。
　　该 MOSFET 支持快速开关操作，减少了开关损耗，非常适合高频开关应用。
　　其高耐压能力（100V VDS）使其适用于多种高压功率转换场景。
　　SSS70N10A 还具备较强的抗过载和短路能力，提高了整体系统的安全性和稳定性。
　　采用 TO-247 封装形式，提供了良好的电气隔离和机械强度，便于安装和散热管理。

应用

SSS70N10A 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、马达驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。
　　由于其高电流能力和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，SSS70N10A 也能发挥重要作用。
　　此外，该 MOSFET 可用于构建高性能的负载开关和功率因数校正（PFC）电路。