时间：2025/9/6 13:27:49
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HM514400BZ10 是一款由Hynix（现代电子）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片的容量为16MB，工作电压为5V，属于早期的DRAM技术，适用于需要大容量内存的计算机和嵌入式系统。HM514400BZ10 采用TSOP封装形式，具有较高的集成度和稳定性，广泛应用于工业控制、通信设备和消费电子产品中。
容量：16MB
数据宽度：4MB x 4
电压：5V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
访问时间：10ns
刷新周期：64ms
HM514400BZ10 是一款高性能的DRAM芯片，具有较低的功耗和较高的数据保持能力。其10ns的访问时间使其能够满足高速数据处理的需求，适用于需要快速存取内存的应用场景。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在恶劣的工业环境中可靠运行。此外，HM514400BZ10 还支持自动刷新功能，能够在不中断系统运行的情况下完成内存刷新操作，确保数据的完整性和可靠性。
该芯片的TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能，适合在高密度电路板上使用。由于其广泛的应用背景，HM514400BZ10 拥有成熟的配套技术支持，用户可以轻松获取相关的数据手册和应用指南。
HM514400BZ10 主要用于需要大容量内存的计算机系统、工业控制设备、通信设备以及消费电子产品中。由于其高速访问时间和稳定性，它特别适合用于图像处理、视频存储和实时数据处理等应用场景。此外，该芯片还可用于嵌入式系统的主存或缓存，提升系统的整体性能和响应速度。
TC514400BZ10, KM514400BZ10
